Hugo Pitard (ISEN Toulon 2019) a soutenu sa thèse !

La soutenance a eu lieu sur le campus de l’ISEN à Toulon devant le jury composé de :

• Rapporteure : Mme MALBERT-SAYSSET Nathalie, Professeure HDR Univ. de Bordeaux -IMS

• Rapporteur : M. GRANDIDIER Bruno, Directeur de Recherche CNRS – IEMN

• Président : M. BARTHELEMY Hervé, Professeur HDR, Université Toulon Var

• Co-encadrant : M. FEDERSPIEL Xavier, STMicroelectronics Crolles

• Examinateur : M. BLAYAC Sylvain, Professeur HDR, CMP Gardanne – ENMSE

• Directeur de thèse : M. Alain BRAVAIX , Professeur HDR, ISEN-Toulon, REER-IM2NP

Résumé des travaux présentés par Hugo PITARD :

Cette thèse se concentre sur la fiabilité des dispositifs CMOS pour les applications numériques (28FDSOI) et moyenne puissance (N-EDMOS) lors du transfert de la technologie 2D vers un empilement 3D, notamment pour les capteurs d’images de type SPAD Cell. L’un des objectifs est de développer une méthode d’extraction commune pour évaluer la dérive des paramètres de base du transistor afin de déterminer leur durée de vie. Basée sur la méthode Fy de Ghibaudo, cette approche vise à fournir une comparaison entre les différentes structures en termes de mobilité et d’augmentation de la résistance série. La validité de cette technique est testée sur des transistors 28FDSOI à canaux courts soumis à un vieillissement accéléré, permettant une évaluation critique des résultats obtenus par la nouvelle méthode d’extraction.

La deuxième partie de ce travail concerne la structure 2D N-EDMOS, également candidate dans les capteurs SPAD Cell. Suite à l’introduction d’une nouvelle épaisseur d’oxyde de grille, modifiant significativement l’efficacité de l’injection de porteurs dans l’oxyde, un nouveau pire cas de dégradation HC DC a été identifié en avalanche. Une amélioration de la durée de vie par rapport à la version précédente est mise en évidence en DC, mais également en régime AC grâce au transfert utilisant la méthode quasi-statique. Ceci permet une extrapolation de la durée de vie du dispositif en condition réelle.

Petit mot du Directeur de thèse de Hugo Pitard, Alain Bravaix :

« C’est un grand bonheur de voir un de ses étudiants finaliser trois années d’études intenses en collaboration avec STMicroelectronics (Crolles). Hugo marque pour moi un anniversaire, car c’est mon dix-huitième étudiant en thèse, après mon tout  premier doctorant Mickael Denais (2005), tous deux sortis de l’ISEN (Toulon). C’était d’autant plus fort qu’il a soutenu dans l’amphi de l’ISEN, là où j’ai fait mes premiers pas il y a trente ans, dans un amphi qui n’avait pas du tout la même allure, car maintenant merveilleusement rénové et high tech. 

Hugo est une belle personne qui a beaucoup de qualités et avec qui il a été très agréable de travailler, précis et positif dans ce qu’il fait, minutieux pour le placement de pointes sur wafer, méthodique et rigoureux dans les protocoles de tests, tout en étant mis à rude épreuve avec les échéances et autres implications dans les enseignements. Toutes ses qualités sont apparues clairement dans l’exposé pédagogique de sa soutenance de thèse et ses réponses aux questions du jury, qui lui ont valu des félicitations bien méritées. Je suis donc très heureux qu’il poursuive parmi nous une carrière de docteur-ingénieur à l’ISEN (Toulon) dans le laboratoire de fiabilité électrique de l’équipe micro et nano électronique. »